Équipements pour semi-conducteurs, pièces détachées et services en Europe
MDC Europe est votre partenaire de confiance pour les pièces détachées de semi-conducteurs, les équipements reconditionnés, l'étalonnage et les services techniques. Du traitement des wafers au backend, nous fournissons des solutions fiables et rentables pour soutenir vos lignes de production et vos installations de recherche.
Nos produits
Découvrez notre gamme complète de pièces détachées et d’équipements pour semi-conducteurs, conçus pour garantir fiabilité, précision et performances à long terme.
Optiques, mécaniques, têtes de mesure, pièces en or, chucks et plus encore – reconditionnés selon les standards de qualité OEM.
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Nos services
De l’étalonnage au reconditionnement, MDC Europe propose des services sur mesure pour maintenir vos équipements à leur niveau de performance optimal.
La confiance des leaders de l'industrie depuis trois décennies
À propos de MDC Europe
Fondée en Suisse, MDC Europe possède plus de 30 ans d’expérience dans les solutions de fabrication de semi-conducteurs. Nous sommes fiers de soutenir les OEM, les instituts de recherche et les fabs de production à travers l’Europe.
Nos clients et références
Nous bénéficions de la confiance des principaux fabricants de semi-conducteurs, OEM et centres de recherche à travers l’Europe, notamment Bosch, ABB, CEA-Leti, GE et bien d’autres.
FAQ
Que sont les « ohms par carré » ?
L’unité de mesure utilisée pour mesurer la résistance d’un film mince d’un matériau selon la technique de sonde à quatre pointes. Elle est égale à la résistance entre deux électrodes situées sur les côtés opposés d’un carré théorique. La taille du carré n’a pas d’importance et la mesure s’exprime donc strictement en ohms, mais ohms/carré permet de distinguer la mesure d’une feuille mince de la mesure d’un fil, par exemple.
Que sont les « ohms-centimètre » ?
L’unité de mesure utilisée pour mesurer la résistivité volumique ou en volume de matériaux épais ou homogènes tels que les wafers de silicium nus ou les lingots de silicium, selon la technique de sonde à quatre pointes.
Comment convertir les ohms par carré en ohms-centimètre ?
Le terme Ohms.cm (Ohms centimètre) fait référence à la mesure de la résistivité « volumique » ou « en volume » d’un matériau semi-conducteur. Les Ohms.cm sont utilisés pour mesurer la conductivité d’un matériau tridimensionnel tel qu’un lingot de silicium ou une couche épaisse d’un matériau. Le terme « Ohms par carré » est utilisé pour mesurer la résistance de feuille, c’est-à-dire la valeur de résistance d’une couche mince d’un matériau semi-conducteur. Les équations de calcul de la résistivité volumique diffèrent de celles utilisées pour calculer la résistance de feuille. Toutefois, si la résistance de feuille est connue, la résistivité volumique peut être calculée en multipliant la résistance de feuille en Ohms par carré par l’épaisseur du matériau en centimètres.
Pourquoi utiliser une sonde à mercure ?
Pour effectuer une caractérisation électrique rapide et non destructive de semi-conducteurs planaires non métallisés : SiC, GaAs, 2DEG, GaN, InP, CdS, InSb, etc. Pour remplacer des méthodes alternatives qui prennent plusieurs heures et nécessitent une métallisation détaillée — caractérisation de couches épitaxiales minces déposées sur silicium, outil de criblage pour la caractérisation de films minces permettant d’effectuer des tests d’intégrité rapides sur diverses surfaces de substrat. Les sondes à mercure peuvent être connectées à des traceurs C-V, des traceurs de courbes, des profileurs de dopage, des systèmes informatisés de mesure de semi-conducteurs, CSM-WIN. La résistance peut être mesurée sur des films minces composés de tout matériau qui ne réagit pas avec le mercure. Les métaux, semi-conducteurs, oxydes et revêtements chimiques peuvent être mesurés avec succès. Les sondes à mercure peuvent mesurer des wafers de silicium oxydés ou des wafers de silicium nus. Pour les dispositifs MOS, une chambre noire est disponible pour éviter les interférences lumineuses.
Quelles fonctions sont disponibles avec les configurations C-V et I-V de MDC ?
Mesures C-V de production MOS avec ou sans contrainte de température de polarisation avec correction des effets de résistance série. TESTS D’INGÉNIERIE MOS : tracé C-V et Conductance-Tension MOS, génération de courbe C-V MOS théorique et calcul Dit, mesures Capacité-Temps (analyse Zerbst), profilage de dopage des régions sous-oxyde, analyse d’oxyde mince selon la méthode Ricco, effets quantiques et déplétion du polysilicium. TESTS DE JONCTION : acquisition de données C-V adaptative pour les profils de dopage et de résistivité, résistance série de jonction et potentiel intégré. TESTS C-V À FRÉQUENCE VARIABLE. TESTS C-V À FRÉQUENCES MULTIPLES. TEST QUASI-STATIQUE / Dit. TESTS GOI (dépendant du matériel) : intégrité de l’oxyde de grille utilisant des sources de tension et de courant forcées, en rampe ou pulsées, histogrammes, tracés TDDB, tracés de Weibull. TESTS I-V : caractéristiques courant-tension des structures de jonction et MIS et tests de claquage d’oxyde. PROGRAMMES POUR OXYDE MINCE : acquisition de données par décalage de fréquence. Fonctions d’analyse CVC pour les effets quantiques et les effets de déplétion du polysilicium.
Pourquoi nous choisir ?
- Plus de 30 ans d’expérience dans les solutions pour semi-conducteurs
- Qualité de reconditionnement de niveau OEM
- Livraison et support rapides en Europe
- Portefeuille complet, des pièces détachées aux services
- Partenariat avec les principaux OEM
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