Système d’analyse CV / IV
Systèmes d’analyse C‑V / I‑V pour la R&D semi-conducteurs et le développement de procédés
MDC Europe propose des systèmes hautes performances pour la caractérisation avancée des dispositifs semi-conducteurs. Nos solutions couvrent des mesures essentielles, notamment CV (capacité-tension), IV (courant-tension), la conductance et l’intégrité de l’oxyde de grille. Nous sommes spécialisés dans la fourniture de profils précis de dopage et de résistivité, ainsi que dans l’analyse de la concentration d’ions mobiles (TVS). Nos systèmes sont entièrement personnalisables et intègrent des instruments de mesure haut de gamme (Agilent, Keithley, HP) avec des stations de pointes spécialisées afin de surveiller les étapes critiques du procédé, détecter les contaminations et garantir la qualité des matériaux, en environnement de recherche comme industriel.
Nos solutions de sondes
Conçus pour la caractérisation non destructive C‑V, I‑V et de la résistance de feuille. Ces systèmes sont essentiels en R&D et en développement de procédés lorsque la métallisation permanente n’est pas souhaitable ou possible. Ils permettent une caractérisation rapide, la recherche sur les matériaux et l’évaluation des dispositifs en phase précoce, offrant une voie rapide pour identifier les contaminants des fours et la qualité des couches épitaxiées sans endommager le wafer.
Solutions de pointage à température contrôlée de haute précision, conçues pour permettre des mesures électriques stables dans des conditions thermiques définies (jusqu’à 400°C). La technologie QuietChuck est spécifiquement conçue pour éliminer le bruit électrique et les interférences AC, ce qui la rend idéale pour les analyses C‑V / I‑V sensibles et dépendantes de la température. Ces systèmes constituent la référence de l’industrie pour la surveillance des ions mobiles (tests BTS) et les workflows de fiabilité de l’oxyde de grille dans des environnements d’essai exigeants.
Vos besoins, nos solutions
Caractérisation des jonctions
- Tracé C‑V
- Profilage de dopage
- Profilage de résistivité
- Fonction de dopage moyen ou de résistivité moyenne
- Fonction de recherche de zone plate
- Tracé Q‑V
- Tracé dopage-tension
- Correction de la résistance série
- Tracé 1/C²‑V
- Analyse 2DEG
Caractérisation MOS
- Tracé C‑V
- Balayé, pulsé, retrace & hystérésis
- Mode double fréquence pour oxydes fuyards
- Stabilisation de la couche d’inversion
- Correction de la résistance série
- Tracé conductance-tension
- Tracés MOS C‑V théoriques
- Calculs CVC pour oxydes minces
- Modélisation quantique via CVC
- Modélisation de la déplétion du polysilicium via CVC
- Mode constante diélectrique
- Analyse de Ricco pour paramètres d’oxyde mince
- Profilage de dopage sous-oxyde (Ziegler)
- Profilage d’implantation
- Intégration de dose partielle
- Charge ionique mobile (méthode CVBT)
- Tests de décalages CVBT valides/invalides
- Tracés superposés
- Version production
Caractérisation capacité-temps
- Tracés C‑T
- Tracés durée de vie-profondeur
- Tracés Zerbst
- Mode de sélection automatique du temps
Tracés conductance-tension-fréquence
- Tracés C‑F
- Tracés G‑F
- Tracés Dit‑V
- Analyse Nicollian-Goetzberger
- Familles de tracés G(F,V)
- Familles de tracés C(V,F)
Tracés C‑V quasi statiques
- Correction des fuites
- Correction d’offset
- Tracés théoriques
- Calculs CVC alternatifs
- Modélisation quantique via CVC
- Modélisation de la déplétion du polysilicium via CVC
Tracés capacité – potentiel de surface
- Trouver la constante d’intégration de Bergland
- Dit en fonction du potentiel de surface (méthode de Kuhn)
- Dit en fonction de l’énergie (méthode de Kuhn)
- Dit en fonction du potentiel de surface (méthode de Castagne)
Tracés TVS
- Concentration de charge ionique mobile
- Espèces de charge ionique mobile
- Tracer C‑V ou I‑V
- Trouver le courant de crête
- Version production
Tracés courant en fonction de la tension
- Tracer le courant en fonction de la tension
- Analyse Fowler Nordheim pour oxydes minces
- Caractéristiques de jonction pour barrières pn ou Schottky
- Mode de mesure I‑V pulsée
- Tracés courant-temps pour études de diffusion du Cu
- Mode PV pour cellules solaires – calcule Pmax, Rs, Rsh, FF
Tests GOI
- Imposer une tension constante (TDDB‑V)
- Imposer une tension en rampe (TZBD)
- Imposer un courant constant (TDDB‑I)
- Imposer une tension par paliers (JT)
- Source de tension pulsée (PVBD)
- Usure sous tension pulsée (TDDW‑V)
- Usure sous courant pulsé (TDDW‑I)
- Tension fixe
- Analyses :
- Histogrammes
- Tracés TDDB
- Tracés JT
- Tracés Qbd
- Tracés Weibull
- Tracés de surface 3D avec probers
- Cartographies de wafer avec probers
Tests de constante diélectrique
- Déterminer la permittivité
- Déterminer le facteur de pertes
Interfaçage avec station de pointes
- Plateau chauffant standard
- Prober avec pas-à-pas
- Prober avec chargement automatique
- Boîte à gants pour mesures sans oxygène
- QuietCHUCK avec enceinte hermétique pour mesures sans oxygène
- Sondes au mercure pour mesures rapides non destructives
- Prober cryogénique pour mesures à basse température
Fonctions spéciales
- Mesures de résistivité en production
- Mesures TVS en production
- Modélisation d’implantation
- SPC
- Durée de vie de génération
- Séquençage de mesures multiples
- Électromigration
- Tests paramétriques
Suite de tests TFT ou transistor
- Caractéristiques de transfert
- Caractéristiques de saturation
- Caractéristiques de sortie
- Tests de fuite
- Tests de conductivité
Calculs
- Condensateur à plaques parallèles
- Dopage-résistivité
- Déplétion-dopage-tension
- Tension de claquage-dopage
Tests à sonde quatre pointes
- Résistance
- Résistivité
- Résistance de feuille
- Dopage
Paramètres matériaux multiples
- Permittivité
- Bande interdite
- Affinité électronique
- Mobilité
Profilage de capacité en fonction du niveau d’excitation
- Famille de tracés C‑V
- Profils de densité de défauts
- Profils CV standard
- Fréquence variable
- Température variable
Pourquoi MDC Europe ?
MDC Europe associe des décennies d’expertise en métrologie des semi-conducteurs à des configurations système très flexibles. Nous fournissons un support applicatif de bout en bout, afin que nos solutions d’analyse C‑V / I‑V soient parfaitement adaptées aux exigences rigoureuses des centres de recherche avancée et des usines de fabrication de semi-conducteurs dans le monde entier.
Pourquoi choisir nos produits ?
- Reconditionnement de niveau OEM répondant aux spécifications d’origine
- Plus de 30 ans d’expérience dans les solutions pour semi-conducteurs
- Livraison et assistance rapides en Europe
- Portefeuille de produits complet, des pièces de rechange aux systèmes
- Approuvé par les principaux OEM et instituts de recherche