FAQ - MDC Europe

Sonde à quatre pointes automatique

Pourquoi utiliser les sondes de cartographie automatiques AIT ?

Les séries de cartographie automatique CMT sont des systèmes entièrement automatiques pour mesurer la résistance de feuille et la résistivité avec contrôle PC à distance ou en mode manuel. Les configurations PC typiques sont Windows 7 / 32 bits.

Selon l’application, la taille et la forme de l’échantillon, les séries suivantes sont disponibles :

  • CMT-100S pour les wafers jusqu’à 180 mm ou les carrés jusqu’à 160 mm
  • CMT-2000N pour les wafers jusqu’à 200 mm
  • CMT-2000PV pour les wafers jusqu’à 230 mm ou les carrés jusqu’à 156 mm
  • CMT-3000 pour le verre, les écrans LCD, les panneaux ITO jusqu’à 600 x 720 mm
  • CMT-5000 pour les wafers jusqu’à 450 mm ou les carrés jusqu’à 300 mm

La résolution xyz est de +/- 1 mm.

La précision du système de 0,5 % est basée sur un résultat de test avec une résistance de réseau de précision. La précision réelle du système est limitée par la référence utilisée. Par exemple, une valeur de référence VLSI certifiée a une tolérance d’erreur de 1,5 %. La précision de mesure réelle dépend de divers facteurs, notamment l’environnement, les conditions de contact et la tête de sonde, la surface du wafer, etc. Par exemple, la précision typique peut inclure des tolérances supplémentaires pour l’usure de la sonde et la répétabilité.

PC compatible avec les versions Windows 10/11.

L’interface distante standard est la communication série RS232. Un convertisseur USB peut également être utilisé.

Sonde à quatre pointes manuelle

Pourquoi utiliser les sondes Jandel ?

Les sondes Jandel offrent la précision et la perfection de plus de 30 ans d’expérience. Les rayons des pointes et les espacements des sondes sont vérifiés par interféromètre et inspection vidéo pour garantir la précision. Les charges de ressort sont vérifiées par jauge de force électronique. Les spécifications standard uniques incluent :

  1. Les guides supérieurs et inférieurs sont sertis de joyaux
  2. Aiguilles en carbure de tungstène massif pour une durabilité et une précision supérieures
  3. Isolation en Téflon offrant une fuite minimale

La meilleure tête de sonde pour vous dépend entièrement de votre application et de l’équipement que vous utilisez. Contactez-nous avec les détails de la sonde que vous possédez actuellement et nous vous indiquerons la meilleure sonde pour vous. Alternativement, si vous souhaitez créer une configuration personnalisée, nous pouvons vous aider à identifier la sonde qui fonctionnera le mieux.

Les caractéristiques nécessaires varient en fonction du matériau sondé. Si vous nous contactez, nous pourrons peut-être vous conseiller les meilleures caractéristiques pour vos échantillons grâce à notre expérience passée. Alternativement, une fois la commande passée, vous avez la possibilité de nous envoyer un échantillon typique du matériau que vous souhaitez sonder et nous le testerons afin que vous soyez sûr de recevoir les meilleures caractéristiques pour votre application.

L’unité de mesure utilisée pour mesurer la résistance d’un film mince d’un matériau selon la technique de sonde à quatre pointes. Elle est égale à la résistance entre deux électrodes situées sur les côtés opposés d’un carré théorique. La taille du carré n’a pas d’importance et la mesure s’exprime donc strictement en ohms, mais ohms/carré permet de distinguer la mesure d’une feuille mince de la mesure d’un fil, par exemple.

L’unité de mesure utilisée pour mesurer la résistivité volumique ou en volume de matériaux épais ou homogènes tels que les wafers de silicium nus ou les lingots de silicium, selon la technique de sonde à quatre pointes.

Le terme Ohms.cm (Ohms centimètre) fait référence à la mesure de la résistivité « volumique » ou « en volume » d’un matériau semi-conducteur. Les Ohms.cm sont utilisés pour mesurer la conductivité d’un matériau tridimensionnel tel qu’un lingot de silicium ou une couche épaisse d’un matériau. Le terme « Ohms par carré » est utilisé pour mesurer la résistance de feuille, c’est-à-dire la valeur de résistance d’une couche mince d’un matériau semi-conducteur. Les équations de calcul de la résistivité volumique diffèrent de celles utilisées pour calculer la résistance de feuille. Toutefois, si la résistance de feuille est connue, la résistivité volumique peut être calculée en multipliant la résistance de feuille en Ohms par carré par l’épaisseur du matériau en centimètres.

Système d’analyse CV/IV

Pourquoi utiliser une sonde à mercure ?

Pour effectuer une caractérisation électrique rapide et non destructive de semi-conducteurs planaires non métallisés : SiC, GaAs, 2DEG, GaN, InP, CdS, InSb, etc. Pour remplacer des méthodes alternatives qui prennent plusieurs heures et nécessitent une métallisation détaillée — caractérisation de couches épitaxiales minces déposées sur silicium, outil de criblage pour la caractérisation de films minces permettant d’effectuer des tests d’intégrité rapides sur diverses surfaces de substrat. Les sondes à mercure peuvent être connectées à des traceurs C-V, des traceurs de courbes, des profileurs de dopage, des systèmes informatisés de mesure de semi-conducteurs, CSM-WIN. La résistance peut être mesurée sur des films minces composés de tout matériau qui ne réagit pas avec le mercure. Les métaux, semi-conducteurs, oxydes et revêtements chimiques peuvent être mesurés avec succès. Les sondes à mercure peuvent mesurer des wafers de silicium oxydés ou des wafers de silicium nus. Pour les dispositifs MOS, une chambre noire est disponible pour éviter les interférences lumineuses.

Une sonde à mercure peut être utilisée en toute sécurité dans un environnement de laboratoire ou de production habituel. Les mesures sur la plateforme ont confirmé une concentration de mercure inférieure à la norme de 0,05 mg/m³. Les zones entourant les conteneurs de stockage de mercure peuvent avoir une concentration de mercure supérieure à la norme, une bonne ventilation est donc recommandée pour le stockage et le remplacement. La sonde à mercure offre les caractéristiques de sécurité inhérentes suivantes :

  1. Aucun mercure n’est appliqué sans wafer chargé
  2. Le passage automatique en position PURGE assure l’élimination du Hg sur la plateforme
  3. Une option de boîte noire est disponible pour contenir les gouttelettes de mercure potentielles dans une zone confinée
  4. Le système de sonde à mercure élimine l’exposition à l’air du mercure en position ARRÊT
  5. Un kit de déversement de mercure est disponible
  6. Une option de filtre à vapeur est disponible

Le système est livré avec un ensemble complet de manuels et de logiciels.

  • Programmes pour configurer et étalonner le capacimètre
  • Utilitaires pour calibrer la zone de contact et la capacité parasite
  • Utilitaires pour les paramètres et le fonctionnement du système

Une fonction d’AIDE complète à l’écran fournit des informations spécifiques sur toutes les fonctions du programme, des suggestions de mesure, des informations techniques et des références.

Les systèmes C-V et I-V de MDC offrent une couverture complète des caractérisations C-V et/ou I-V grâce à une variété de sondes, d’équipements de test et de logiciels de contrôle PC (CSM/Win). Les raisons spécifiques incluent : un fonctionnement par menus, la possibilité de sauvegarder et de modifier les recettes de test, la possibilité de stocker et de rappeler des ensembles de données complets dans tous les programmes, le stockage de résumés de données dans les programmes de production, des rapports complets sur un seul écran des résultats de test, le traçage superposé de plusieurs ensembles de données, la vérification des limites des résultats de test, la correction de la résistance série, la compensation de température de toutes les mesures.

Mesures C-V de production MOS avec ou sans contrainte de température de polarisation avec correction des effets de résistance série. TESTS D’INGÉNIERIE MOS : tracé C-V et Conductance-Tension MOS, génération de courbe C-V MOS théorique et calcul Dit, mesures Capacité-Temps (analyse Zerbst), profilage de dopage des régions sous-oxyde, analyse d’oxyde mince selon la méthode Ricco, effets quantiques et déplétion du polysilicium. TESTS DE JONCTION : acquisition de données C-V adaptative pour les profils de dopage et de résistivité, résistance série de jonction et potentiel intégré. TESTS C-V À FRÉQUENCE VARIABLE. TESTS C-V À FRÉQUENCES MULTIPLES. TEST QUASI-STATIQUE / Dit. TESTS GOI (dépendant du matériel) : intégrité de l’oxyde de grille utilisant des sources de tension et de courant forcées, en rampe ou pulsées, histogrammes, tracés TDDB, tracés de Weibull. TESTS I-V : caractéristiques courant-tension des structures de jonction et MIS et tests de claquage d’oxyde. PROGRAMMES POUR OXYDE MINCE : acquisition de données par décalage de fréquence. Fonctions d’analyse CVC pour les effets quantiques et les effets de déplétion du polysilicium.

Selon les besoins de caractérisation, diverses combinaisons avec des équipements Keysight Technologies ou Keithley ainsi que des sondes et logiciels MDC peuvent être configurées selon des spécifications personnalisées.

(Spécifique C-V/I-V) Le système est livré avec un ensemble complet de manuels et de logiciels. Le logiciel SYSTEM SETUP comprend : des programmes pour configurer et étalonner le capacimètre, des utilitaires pour choisir les paramètres du système tels que la température par défaut et les paramètres des matériaux, des utilitaires pour vérifier le fonctionnement du système.

(Spécifique C-V/I-V) Une fonction d’AIDE complète à l’écran fournit des informations spécifiques sur toutes les fonctions du programme, des suggestions de mesure, des informations techniques et des références.

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